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Si3981DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
0.3
0.2
25
20
0.1
0.0
- 0.1
- 0.2
I D = 250 μA
15
10
5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by I DM
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10
1
0.1
Limited by R DS(on) *
Limited by I D(on)
1 ms
10 ms
100 ms
10 s, 1 s
0.01
0.1
T C = 25 °C
Single Pulse
DC
Limited by BVDSS
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
Notes:
P DM
t 1
t 2
0.1
0.05
0.02
t 1
t 2
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 132 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
Single Pulse
0.01
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 72502
S13-0631-Rev. E, 25-Mar-13
This document is subject to change without notice.
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